اثر تنش و کشش بلوری در ساختار باندهای انرژی لایه های نازک نیمه هادی InGaAs
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,611
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_083
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در رشد لایه های نازک نیمه هادی و استفاده آنها در صنعت لیزرهای نیمه هادی بدلیل ناخوانا بودن ثابت شبکه های بلوری در لایه های رشد داده شده،تنش و کشش ایجاد می شود که خود باعث تغییر ساختار باندها و زیر باندهای انرژی دربلور نیمه هادی می گردد . برای محاسبه باندها و زیر باندها از اثر جفت شدگی اربیت - اربیت برای زیر باندهای حفره - سنگین HH و حفره - سبک LH ظرفیت صرفنظر نکرده ایم؛اما از اثر جفت شدگی اسپین - اربیت دو زیر باند ذکر شده با زیر باند شکافتی در k =0 چشم پوشی کرده ایم؛زیرا انرژی شکافتی بین این باند و باندهای دیگر در حدی است که در فرایند هایی مانند بهره در لیزرهای نیمه هادی شرکت نمی کند و یا نقش بسیار کوچکی دارد
نویسندگان
مهدی اسکویی
دانشگاه صنعتی شریف
آوازه هاشملو
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :