بررسی تغییرات شدت تحریک بر گسیل نوری نانو ساختارهای InGaNAs با استفاده از تکنیک فتولومینسانس

حضور نیتروژن در InGaAs علاوه بر تغییرات زیادی که در ساختار نواری آن به وجود می آورد، با ایجاد افت و خیزهای پتانسیل و ناهمواریهایی در ساختار، باعث تشکیل مراکز تله و جایگزیدگی می گردد . جایگزیدگی نیز از یک طرف با کاهش زمان بازترکیب اکسیتونها مفید باعث افزایش بازده اپتیکی و از طرف دیگر به علت ایجاد بازترکیبهای غیر تابشی باعث کاهش بازده اپتیکی قطعه می گردد . یکی از عوامل کاهش جایگزیدگی، افزایش شدت نور تحریکی نمونه نیمه رساناست که با افزایش آن و پر شدن مراکز جایگزیدگی، قله طیف فتولومینسانس نیز به انرژی های بالاتر انتقال می یابد . در نمونه های با نیتروژن بیشتر انتقال بیشتر است و دستیابی به حالت اشباع حاصل نمی گردد . افزایش دما نیز با کاهش افت و خیزها و تنشهای سطحی، اثرات جایگزیدگی را کاهش می دهد، لذا تغییر شدت تحریک، اثری در تغییر قله های طیفهای فتولومینسانس ندارد .