Accurate Analytical Modeling of Drain Current of Heterojunction Tunneling Field Effect Transistor
محل انتشار: ماهنامه بین المللی مهندسی، دوره: 37، شماره: 7
سال انتشار: 1403
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 25
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_IJE-37-7_012
تاریخ نمایه سازی: 9 اردیبهشت 1403
چکیده مقاله:
An accurate analytical model is presented for drain current of the heterojunction tunneling field effect transistor, taking into account the source depletion region, mobile charges and the effect of the drain voltage. This model accurately predicts the potential distribution not only on the surface but also within the semiconductor depth by utilizing newly formulated mathematical relationships. Using the tangent line approximation method and considering the channel region as well as the source depletion region’ We analytically calculate the band-to-band tunneling current from the source to the channel by integrating the tunneling generation rate. Compared to simulation results, the proposed model demonstrates significant accuracy in predicting drain current.
کلیدواژه ها:
Analytical model ، Heterojunction Tunneling Field Effect Transistor ، Band-to-band tunneling ، Tangent line approximation
نویسندگان
F. Peyravi
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad, Iran
S. E. Hosseini
Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
